近幾年，我國在半導體產業上發展迅猛，各項核心技術實現突破。以中芯國際為例，在CEO梁孟松的帶領下，中芯國際已經實現28nm芯片的量產，并實現了7nm芯片技術的突破。

而在芯片封裝技術，長電科技也實現了4nm芯片封裝。與此同時，概倫電子也在芯片設計上實現3nm工藝節點的突破……

不可否認，這幾年我們在芯片技術的突破有目共睹，但我們能夠生產的芯片僅有14nm水準，離7nm芯片還有不小的距離。

據悉，國內能自主生產的先進工藝是14nm水準，比如中芯國際此前生產麒麟710a芯片就是14nm芯片。

為什麼會出現這種情況呢？歸根結底，還是國缺少生產芯片的關鍵設備光刻機。截止目前為止，我國從ASML采購了大量DUV光刻機，但EUV光刻機，ASML并沒有向我國提供。

而EUV光刻機是生產7nm芯片的關鍵設備，一旦我們擁有這種光刻機，那麼我國實現7nm芯片生產的進程將會加快。

哈工大7nm光刻機技術實現突破

早在2018年的時候，中芯國際就從ASML采購了一台EUV光刻機。由于老美從中作梗，這台EUV光刻機沒有正式發貨。

為了早日實現國產7nmEUV光刻機的自主化，國內半導體公司和相關團隊在光刻機技術上深入研究，實現了光刻機技術的多項突破。

最引人矚目的當屬哈工大團隊研發的‘高速超精密激光干涉儀’，這款激光干涉儀用于28nm—350nm工藝光刻機集成研制和性能測試，對28nm光刻機的研制提供了技術支撐，并對7nmEUV光刻機提供技術儲備。

這個消息傳來后，整個網絡都沸騰了，很多人都高呼：我們實現了7nm光刻機技術都突破，國產7nmEUV光刻機將會研制成功。

1個多月過去了，我們并沒有看到國產7nm光刻機的相關信息，似乎哈工大的7nm技術突破只是一個噱頭，這種現象讓人感到奇怪。

為什麼會出現這種現象？

難道哈工大7nm光刻機技術只是一個噱頭，準確的講并不是。哈工大團隊是這樣形容高速超精密激光干涉儀：能為28nm—350nm光刻機提供技術支撐，為7nm光刻機提供技術儲備。

什麼叫技術支撐呢？那就是我國研制28nm光刻機的時候，高速超精密激光干涉儀能為這種光刻機提供集成和測試的技術支撐，僅此而已。但一款28nm光刻機的研制涉及的技術多達幾千、甚至上萬個，靠1、2項技術支撐并不能解決問題，因此高速超精密激光干涉儀的出現并不能表明我們有實力研發28nm光刻機。

實際情況是我國能夠生產的光刻機水準是90nm，離28nm光刻機還有不小的差距。

什麼叫技術儲備呢？和技術支撐相比，技術儲備就顯得有些‘不給力’了。所謂技術儲備是這種技術還不能馬上看到效果，而是這種技術能為更高端技術做鋪墊，在這個基礎上實現技術突破。

所以哈工大團隊研發的高速超精密激光干涉儀能為28nm光刻機提供技術支撐，卻只能為7nm光刻機做技術儲備，這就容易理解了。

7nmEUV光刻機有多難？

很多人認為靠我們自己就可以實現7nmEUV光刻機的研制成功，其實這是一種不切實際的想法。

客觀的講，這個世界沒有單獨一個國家可以實現7nmEUV光刻機的研制成功，我國做不到，老美也是如此。光刻機被譽為‘半導體工業皇冠的明珠’，這不是說著玩的。

據悉，荷蘭ASML生產一台EUV光刻機，這需要全球6000多家科技公司提供10萬個器件，這些公司包括蔡司、德州儀器、尼康等，并且這里面的任何一家公司提供了器件工藝都達到業內頂尖水準。

由此可見，想要研制一款7nmEUV光刻機的難度非常之大，這需求全球科技公司通力合作才能完成。

寫在最后

近幾年，我國的半導體公司受到老美等國家的打壓，包括華為、中芯國際在內的半導體公司的業務都受到較大的影響。

面對這個局面，國內很多網友都希望國產光刻機能夠早日實現自主生產，并希望我們可以研制成功7nmEUV光刻機。

這些網友的想法是好的，但所有的盼望都建立在實事求是的基礎上，因此我們不能因為1、2項技術的突破就沾沾自喜，認為我們就可以研制成功7nmEUV光刻機。

國產光刻機之路任重道遠，我們不能看不清現實，要腳踏實地的發展。