近幾年,我國在半導體產業上發展迅猛,各項核心技術實現突破。以中芯國際為例,在CEO梁孟松的帶領下,中芯國際已經實現28nm芯片的量產,并實現了7nm芯片技術的突破。
而在芯片封裝技術,長電科技也實現了4nm芯片封裝。與此同時,概倫電子也在芯片設計上實現3nm工藝節點的突破……
不可否認,這幾年我們在芯片技術的突破有目共睹,但我們能夠生產的芯片僅有14nm水準,離7nm芯片還有不小的距離。
據悉,國內能自主生產的先進工藝是14nm水準,比如中芯國際此前生產麒麟710a芯片就是14nm芯片。
為什麼會出現這種情況呢?歸根結底,還是國缺少生產芯片的關鍵設備光刻機。截止目前為止,我國從ASML采購了大量DUV光刻機,但EUV光刻機,ASML并沒有向我國提供。
而EUV光刻機是生產7nm芯片的關鍵設備,一旦我們擁有這種光刻機,那麼我國實現7nm芯片生產的進程將會加快。
哈工大7nm光刻機技術實現突破
早在2018年的時候,中芯國際就從ASML采購了一台EUV光刻機。由于老美從中作梗,這台EUV光刻機沒有正式發貨。
為了早日實現國產7nmEUV光刻機的自主化,國內半導體公司和相關團隊在光刻機技術上深入研究,實現了光刻機技術的多項突破。
最引人矚目的當屬哈工大團隊研發的‘高速超精密激光干涉儀’,這款激光干涉儀用于28nm—350nm工藝光刻機集成研制和性能測試,對28nm光刻機的研制提供了技術支撐,并對7nmEUV光刻機提供技術儲備。
這個消息傳來后,整個網絡都沸騰了,很多人都高呼:我們實現了7nm光刻機技術都突破,國產7nmEUV光刻機將會研制成功。
1個多月過去了,我們并沒有看到國產7nm光刻機的相關信息,似乎哈工大的7nm技術突破只是一個噱頭,這種現象讓人感到奇怪。
為什麼會出現這種現象?
難道哈工大7nm光刻機技術只是一個噱頭,準確的講并不是。哈工大團隊是這樣形容高速超精密激光干涉儀:能為28nm—350nm光刻機提供技術支撐,為7nm光刻機提供技術儲備。
什麼叫技術支撐呢?那就是我國研制28nm光刻機的時候,高速超精密激光干涉儀能為這種光刻機提供集成和測試的技術支撐,僅此而已。但一款28nm光刻機的研制涉及的技術多達幾千、甚至上萬個,靠1、2項技術支撐并不能解決問題,因此高速超精密激光干涉儀的出現并不能表明我們有實力研發28nm光刻機。
實際情況是我國能夠生產的光刻機水準是90nm,離28nm光刻機還有不小的差距。
什麼叫技術儲備呢?和技術支撐相比,技術儲備就顯得有些‘不給力’了。所謂技術儲備是這種技術還不能馬上看到效果,而是這種技術能為更高端技術做鋪墊,在這個基礎上實現技術突破。
所以哈工大團隊研發的高速超精密激光干涉儀能為28nm光刻機提供技術支撐,卻只能為7nm光刻機做技術儲備,這就容易理解了。
7nmEUV光刻機有多難?
很多人認為靠我們自己就可以實現7nmEUV光刻機的研制成功,其實這是一種不切實際的想法。
客觀的講,這個世界沒有單獨一個國家可以實現7nmEUV光刻機的研制成功,我國做不到,老美也是如此。光刻機被譽為‘半導體工業皇冠的明珠’,這不是說著玩的。
據悉,荷蘭ASML生產一台EUV光刻機,這需要全球6000多家科技公司提供10萬個器件,這些公司包括蔡司、德州儀器、尼康等,并且這里面的任何一家公司提供了器件工藝都達到業內頂尖水準。
由此可見,想要研制一款7nmEUV光刻機的難度非常之大,這需求全球科技公司通力合作才能完成。
近幾年,我國的半導體公司受到老美等國家的打壓,包括華為、中芯國際在內的半導體公司的業務都受到較大的影響。
面對這個局面,國內很多網友都希望國產光刻機能夠早日實現自主生產,并希望我們可以研制成功7nmEUV光刻機。
這些網友的想法是好的,但所有的盼望都建立在實事求是的基礎上,因此我們不能因為1、2項技術的突破就沾沾自喜,認為我們就可以研制成功7nmEUV光刻機。
國產光刻機之路任重道遠,我們不能看不清現實,要腳踏實地的發展。
代表者: 土屋千冬
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